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石墨资料究竟有着比铜模电极有哪些优势呢？石墨盘一、挑选石墨作为电极资料在欧洲超越90％以上的电极资料是石墨。铜这种曾经占控制地位的电极资料，和石墨电极相比它的优势简直消失殆尽。二、石墨做电极的原因石墨盘：1、加工速度更快：通常情况下，石墨的机械加工速度能比铜快2~5倍；而放电加工速度比铜快倍石墨盘；2、资料更不容易变形：在薄筋电极的加工上优势显着；铜的软化点在1000度左右，容易因受热而发生变形；石墨的升华温度为3650度；热膨胀系数仅有铜的1/30。3、重量更轻：石墨的密度只有铜的1/5，大型电极进行放电加工时，能有效下降机床（EDM）的负担；更适合于在大型模具上的应用。石墨盘4、放电耗费更小；因为火花油中也含有C原子，在放电加工时，高温导致火花油中的C原子被分化出来，石墨盘转而在石墨电极的外表构成保护膜，补偿了石墨电极的损耗。石墨盘

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SiC具有优异的物理化学性能，如高熔点、高硬度、耐腐蚀、抗氧化等，特别是在1800-2000℃范围，具有良好的抗烧蚀性能，因此，在航空航天、兵器装备等领域具有广阔的应用前景。但SiC本身不能作为结构材料使用，所以通常采用制备涂层的方法，以利用其耐磨性以及抗烧蚀性。1、化学气相沉积（CVD）将需制备SiC涂层的试样放入反应管中，以MTS为先驱体原料，在950-1300℃、负压条件下沉积SiC涂层在试样表面。2、先驱体转化法（PIP将试样进行预处理后，放入浸渍罐中，对浸渍罐抽真空，再注入浸渍溶液，加压浸渍，减压取出试样。在炉中进行裂解，炉冷至室温取出，即可在试样表面实现SiC涂层。这里的浸渍溶液是陶瓷先驱体为主要成分的溶液。

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在功率半导体展开历史上，功率半导体可以分为三代：碳化硅功率器材与传统硅功率器材制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶资料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延资料，并在外延层上制作各类器材。碳化硅一般选用PVT办法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是十分高的。碳化硅外延进程和硅根本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样石墨盘。在器材制备方面，由于资料的特殊性，器材进程的加工和硅不同的是，选用了高温的工艺，包括高温离子注入、高温氧化以及高温退火工艺。外延工艺是整个工业中的一种十分要害的工艺，由于现在所有的器材根本上都是在外延上完成，所以外延的质量对器材的功能是影响是十分大的，可是外延的质量它又受到晶体和衬底加工的影响，处在一个工业的中间环节，对工业的开展起到十分要害的效果。SiC外延片是SiC工业链条核心的中间环节石墨盘现在碳化硅和氮化镓这两种芯片，假如想大程度利用其资料本身的特性，较为抱负的方案便是在碳化硅单晶衬底上生长外延层碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有必定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实践使用中，宽禁带半导体器材几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。我国SiC外延资料研发作业开发于“九五方案”，资料生长技能及器材研讨均获得较大开展。主要研讨单位有中科院半导体研讨所、中电集团13所和55所、西安电子科技大学等，工业化公司主要是东莞天域和厦门瀚天天成。现在我国已研发成功6英寸SiC外延晶片，且根本完成商业化。可以满意3.3kV及以下电压等级SiC电力电子器材的研发。不过，还不能满意研发10kV及以上电压等级器材和研发双极型器材的需求。石墨盘碳化硅资料的特性从三个维度展开：1.资料的功能，即物理功能：禁带宽度大、饱和电子飘移速度高、存在高速二维电子气、击穿场强高。这些资料特性将会影响到后面器材的功能。2. 器材功能：耐高温、开关速度快、导通电阻低、耐高压。优于普通硅资料的特性。反映在电子电气系统和器材产品中。3. 系统功能：体积小、重量轻、高能效、驱动力强石墨盘。碳化硅的耐高压才能是硅的10 倍，耐高温才能是硅的2 倍，高频才能是硅的2 倍；相同电气参数产品，选用碳化硅资料可缩小体积50%，降低能量损耗80%。这也是为什么半导体巨头在碳化硅的研发上不断加码的原因：希望把器材体积做得越来越小、能量密度越来越大石墨盘。硅资料跟着电压的升高，高频功能和能量密度不断在下降，和碳化硅、氮化镓比较优势越来越小石墨盘。碳化硅主要运用在高压环境，氮化镓主要集中在中低压的范畴。形成两者要点开展的方向有重叠、但各有各的路线。通常以650V 作为一个界限：650V以上通常是碳化硅资料的使用，650V 以下比方一些消费类电子上氮化镓的优势愈加显着石墨盘。

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碳化硅涂层石墨盘就是选用物理或化学气相堆积、喷涂等方法，在石墨表面制备碳化硅保护层。制备的碳化硅保护层，可牢牢的巴结在石墨基体上，使石墨基座表面致密、无空隙，赋予石墨基体特别的性能，包含抗氧化、耐酸碱、耐冲刷、耐腐蚀等。碳化硅涂层石墨盘是目前单晶硅外延成长用和氮化镓（GaN）外延成长用 好的基座之一，是外延炉的核心部件碳化硅涂层。当时，我国国内碳化硅涂层石墨盘生产商数量较少，已实现量产并有应用成绩的主要有深圳市志橙半导体资料有限公司、湖南德智新资料有限公司、上海天楷石墨有限公司等，但产能产值较低，产品质量也与欧美先进国家的抢先企业有必定距离，因而在供给能力及碳化硅涂层石墨盘质量等方面均无法满足下游应用领域需求。整体来看，国内碳化硅涂层石墨盘职业集中度较高碳化硅涂层，Sgl Carbon、Toyo Tanso、Bay Carbon等国外厂商占据大部分商场份额，而本乡企业碳化硅涂层石墨盘生产能力有限，所占商场份额较小。依据依据新思界工业研讨中心发布的《2021-2025年我国碳化硅涂层石墨盘职业深度研讨及商场出资危险咨询报告》，2020年，我国碳化硅涂层石墨盘表观消费量为6.13万件，我国本乡生产商碳化硅涂层石墨盘产值为0.21万件，碳化硅涂层本乡厂商碳化硅涂层石墨盘产值仅占当年国内碳化硅涂层石墨盘表观消费量的3.4%，我国碳化硅涂层石墨盘需求仍主要依靠进口满足。从相关工业来看，当时，国内碳化硅涂层石墨盘相关制作设备开展不甚老练，国产设备在控制精度、响应速度、连续生产稳定性等方面存在较多不足，影响碳化硅涂层石墨盘产品质量，因而国内碳化硅涂层石墨盘生产企业所需的设备主要依赖进口。从产品层面而言，国产碳化硅涂层石墨盘在理论研讨方面开展较好，但工业化推动缓慢，国内碳化硅涂层石墨盘量产工艺技术落后，产能产值严重不足，碳化硅涂层致使国内碳化硅涂层石墨盘商场仍为进口商品所主导。新思界职业研讨员表示，碳化硅涂层石墨盘主要用于半导体工业的诸多生产环节，近年，受全球工业转移及国内技术进步、方针支持、终端工业开展等要素影响，我国半导体工业体现出杰出的开展态势，为碳化硅涂层石墨盘需求增长提供了有力支撑。可以预见，碳化硅涂层石墨盘及其相关职业未来开展环境还将长时间向好。碳化硅涂层

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碳化硅涂层石墨盘就是采用物理或化学气相沉积、喷涂等方法，在石墨表面制备碳化硅保护层。制备的碳化硅保护层，可牢牢的巴结在石墨基体上，使石墨基座表面致密、无空隙，赋予石墨基体特殊的性能，包括抗氧化、耐酸碱、耐冲刷、耐腐蚀等。碳化硅涂层石墨盘是目前单晶硅外延生长用和氮化镓（GaN）外延生长用好的基座之一，是外延炉的核心部件。当前，中国国内碳化硅涂层石墨盘生产商数量较少，已实现量产并有应用业绩的主要有深圳市志橙半导体材料有限公司、湖南德智新材料有限公司、上海天楷石墨有限公司等，但产能产量较低，产品质量也与欧美先进国家的领先企业有一定差距，因此在供给能力及碳化硅涂层石墨盘质量等方面均无法满足下游应用领域需求。总体来看，国内碳化硅涂层石墨盘行业集中度较高，Sgl Carbon、Toyo Tanso、Bay Carbon等国外厂商占据大部分市场份额，而本土企业碳化硅涂层石墨盘生产能力有限，所占市场份额较小