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萧山附近的碳化硅涂层图片

发布时间:2022-06-17 00:54:41
萧山附近的碳化硅涂层图片

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公司主营业务开展道路清晰。公司成功施行贸工技道路, 着力加大研制投入,产能从4寸线开展到6寸线,未来规划8寸线,逐渐提高高端产能占比,抢占外商份额。公司业绩每年稳定增长20-30%,净利率保持在18%,大幅领先同业SiC涂层。“国内”+“海外”双轮驱动。公司施行“YJ”与“MCC”双品牌运作,2015年海外商场销售额占比15%,未来海外销售占比能达到50%。重视研制与海外商场拓展轨道与华为共同。SiC 项目布局第三代半导体。获益于下游充电桩和电动汽车数量的交替增长,SIC 商场在起飞前夜。公司现在做SiC 器材, 已给下游充电桩企业送样,SiC 晶圆线正在建设中,构成产业一体化优势。持续进行分立器材产业链整合。公司对本身的定位是分立器材的整合渠道。(1)收买国宇电子14.95%的股权,布局第三代半导体。(2)收买美国MCC、台湾美微科、深圳美微科,进军海外商场。 定增助推公司开展动能。公司拟定增10亿,用于SiC 芯片器材研制、节能型功率器材芯片建设、智慧型电源芯片封装测验, 优化公司产品结构,扩大商场竞争力SiC涂层。我们以为,公司技能实力强,管理层和产品团队质地优异,在国家半导体扶持方针侧重先进产能和新式应用领域的布景下, 看好公司长期开展空间。估计公司2016-2018年归母净利润1.83亿、2.76亿、3.64亿;EPS 为0.43元、0.65元、0.86元,对应6月14日收盘价(20.58元/股)PE 分别为47倍、31倍、24倍。鉴于公司未来三年的复合增速估计将超越30%, 给予“强烈推荐”评级SiC涂层。SiC涂层

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碳化硅涂层是由硅和碳化合物组成的特种涂层。碳化硅是一种综合制造的化合物。然而,在自然界中,它很少被发现为莫氏体。碳化硅(SiC)涂层可通过PVD或CVD涂覆在基体上。由于其昂贵的应用技术,它是市场上使用的昂贵涂料之一。然而,碳化硅涂层具有许多优点,因此,这种涂层在各种工业应用中受到青睐。碳化硅涂层具有很高的耐磨性、耐腐蚀性、耐腐蚀性和耐磨性。它还提供了高导热性和抗震性。碳化硅涂层的化学惰性使其具有很高的化学稳定性和抗氧化性。碳化硅涂层的应用包括涡轮部件、耐磨板、泵叶片、球阀部件、密封件、轴承和换热器等。2019年,全球碳化硅涂层市场规模达到了0.2亿元,预计2026年将达到173亿元,年复合增长率(CAGR)为50.7%。本报告研究全球与中国市场碳化硅涂层的产能、产量、销量、销售额、价格及未来趋势。重点分析全球与中国市场的主要厂商产品特点、产品规格、价格、销量、销售收入及全球和中国市场主要生产商的市场份额。

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​崭新明亮的展厅内,摆放着几个对外行来说显得很生疏的“盘子”,它们大小各异,色泽暗淡。这是碳化硅涂层石墨盘,是半导体职业打破国外技能垄断的关键产品之一。湖南德智新材料有限公司董事长柴攀表明,这次扩产标志着德智具有了年产值达1.5亿元的能力,也具有了实现出售过亿元的基础性作业,同时达到了国内半导体客户对产品的需求,代表着碳化硅涂层石墨盘国产化的冲锋号现已吹响。石墨盘两年前,德智新材落户动力谷自主立异园。随后,其自主设计的国内 大化学气相堆积设备完结调试投入使用。这个设备能在高温、高真空环境下组成镜面纳米碳化硅涂层。现在,“德智新材”成为国内 大单晶太阳能生产企业石墨盘——隆基股份等龙头企业的供货商,并与吉林大学、中南大学等闻名高校树立长期合作关系。“这次扩产的项目是半导体用碳化硅涂层石墨基座,石墨盘项目技能含量高、成长能力强、经济效益好,打破了国外的技能封锁,对进一步推动国内半导体工业转型升级、强大株洲经济规模具有十分严重的意义。”业内人士剖析以为。石墨盘石墨盘

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近日,东莞市天域半导体科技有限公司(简称“天域”)产生工商变更,新增股东华为关联出资机构深圳哈勃科技出资合伙企业(有限合伙)等,注册资本由约9027万增至约9770万,增幅超8%。在碳化硅领域的布局上,此前华为旗下的哈勃科技出资也已入股了山东天岳、瀚天天成等碳化硅技能厂商。根据官网介绍,天域(TYSiC)成立于2009年,是我国第一家从事碳化硅(SiC)外延片商场营销、研发和制作的私营企业。2010年,天域与我国科学院半导体研究所合作,一起创建了碳化硅研究所。天域是我国第一家获得轿车质量认证(IATF16949)的碳化硅半导体资料供应链企业。现在,天域在我国具有多的碳化硅外延炉-CVD,月产能5000件。凭着先进的外延才能和先进的测试和表征设备,天域为全球客户供给n-型和p-型掺杂外延资料、制作肖特基二极管、JFETs、BJTs、MOSFETs,GTOs和IGBTs等。天域的宗旨是,促进第三代(宽禁带)半导体工业的发展,成为全球碳化硅外延片的首要出产商之一,以先进的碳化硅外延成长技能为客户供给优秀产品和服务。总的来说,这是一家在工业链上获得必定成就,技能实力不俗,并且有快速上马IPO之路潜质的一家SiC外延出产企业。挑选此类企业,也是哈勃一向的出资风格SiC外延片是SiC工业链条核心的中间环节现在碳化硅和氮化镓这两种芯片,假如想大程度使用其资料自身的特性,较为理想的计划就是在碳化硅单晶衬底上成长外延层。碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上成长了一层有必定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。实践使用中,宽禁带半导体器材简直都做在外延层上,碳化硅晶片自身只作为衬底,包含GaN外延层的衬底。我国SiC外延资料研发工作开发于“九五计划”,资料成长技能及器材研究均获得较大进展。首要研究单位有中科院半导体研究所、中电集团13所和55所、西安电子科技大学等,工业化公司首要是东莞天域和厦门瀚天天成。现在我国已研发成功6英寸SiC外延晶片,且根本完成商业化。能够满意3.3kV及以下电压等级SiC电力电子器材的研发。不过,还不能满意研发10kV及以上电压等级器材和研发双极型器材的需求。碳化硅资料的特性从三个维度打开:1.资料的性能,即物理性能:禁带宽度大、饱和电子飘移速度高、存在高速二维电子气、击穿场强高。这些资料特性将会影响到后边器材的性能。2. 器材性能:耐高温、开关速度快、导通电阻低、耐高压。优于一般硅资料的特性。反映在电子电气体系和器材产品中。3. 体系性能:体积小、重量轻、高能效、驱动力强。碳化硅的耐高压才能是硅的10 倍,耐高温才能是硅的2 倍,高频才能是硅的2 倍;相同电气参数产品,采用碳化硅资料可缩小体积50%,降低能量损耗80%。这也是为什么半导体巨头在碳化硅的研发上不断加码的原因:希望把器材体积做得越来越小、能量密度越来越大。我们都知道,芯片设计企业得产能者得天下,这也是华为哈勃近期不断布局的原因。纵观SiC工业链,尽管我国出资的碳化硅衬底项目现已有30多个,但是商场需求量大的6英寸N型碳化硅晶片依然严重依赖进口。国产的产品尚无法进入干流的供应链,碳化硅衬底和外延的本钱现在占到碳化硅模块总本钱的50%以上,假如该问题不得到解决,我国碳化硅工业比较于美国很难有什么太大的竞争力。比较衬底,外延仿佛是个很好切入的商场,一方面,外延环节技能较为单一,首要进程为在原SiC衬底上成长一层新单晶。是整个工业链中附加值和技能门槛低的环节,另一方面外延环节依赖老练的设备(现在业界干流设备为Aixtron等公司供给的CVD设备),气相沉积流程通过流量计严格控制,业界和设备商有相对老练的技能。一起,国内厂商技能与国外先进水平差距现在来看不是非常大,与瀚天天成为例,现已能够与昭和电工的产品在全球多个商场竞争。瀚天天成和东莞天域是国内SiC外延的首要厂商,其间瀚天天成为国内外延龙头企业,瀚天天成在外延工艺环节积累了必定的Know-how,相对走的稍快一些,但天域也是紧随其后。尽管,现在国内厂商在长厚膜高压器材,在更高功率、高电流、高电压器材结构相关的外延技能上仍有提高空间,在产能和工艺优化上仍有提高空间,本钱还需要进一步控制,但在外延商场,国产企业现已能占有一席之地了。碳化硅外延片出产的国外核心企业,首要以美国的Cree、 DowCorning、II-VI、日本的罗姆、昭和电工、三菱电机、德国的Infineon 等为主。其间,美国公司就占据全球70-80%的比例。技能上也在向6英寸为主的方向过渡。国外首要的外延片企业代表企业昭和电工,现在产品现已使用于丰田集团旗下首要出产轿车空调、焚烧、燃油喷发等体系的DENSO(电装)公司用于燃料电池电动车的下一代增压动力模块制作。近期英飞凌科技公司与昭和电工签订了一份包含外延在内的多种SiC资料(SiC)的供应合同,以满意英飞凌现在SiC基产品不断增加的需求。国内碳化硅外延片的出产商,首要瀚天天成、东莞天域、国民技能子公司国民天成、世纪金光,以及国字号的中电科13所和55所。以及完成 SiC 从资料到封装一体化的半导体公司三安集成等。现在国内外延片也是以供给4英寸的产品为主,并开端供给6英寸外延片。2019 SiC外延片折算6英寸产能约为20万片/年。三安集成是全球少量完成 SiC 从资料到封装一体化的半导体公司。现在,三安集成是继科锐、罗姆后,全球少量完成 SiC 笔直工业链布局的厂商,在国内更是职业先驱者。SiC外延

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