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茂名附近的碳化硅外延盘图片

物质特性碳化硅因为化学功能安稳、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨功能好，除作磨料用外，还有许多其他用处，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延伸使用寿命1～2倍；用以制成的高档耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还很多用于制作电热元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上硬的金刚石（10级），具有优秀的导热功能，是一种半导体，高温时能抗氧化。碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下构成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石类似，则在低于2000 °C生成，结构如页面附图所示。虽然在异相触媒担体的使用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，而另一种碳化硅，μ-碳化硅为安稳，且磕碰时有较为悦耳的声响，但直至今天，这两种型态没有有商业上之使用碳化硅涂层。因其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度（约2700 °C），碳化硅很适合做为轴承或高温炉之质料物件。在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有适当低的化学活性。因为其高热导性、高溃散电场强度及高 大电流密度，在半导体高功率元件的使用上，不少人试着用它来替代硅[1]。此外，它与微波辐射有很强的耦合效果，并其所有之高升华点，使其可实际使用于加热金属。碳化硅涂层纯碳化硅为无色，而工业生产之棕至黑色系因为含铁之不纯物碳化硅涂层。晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面发生之二氧化硅保护层所造成的物质结构纯碳化硅是无色通明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，通明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。α-SiC因为其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。碳化硅涂层

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从终端应用层上来看在碳化硅资料在高铁、轿车电子、智能电网、光伏逆变、工业机电、数据中心、白色家电、消费电子、5G通讯、次世代显现等范畴有着广泛的应用，市场潜力巨大。在应用上，分为低压、中压和高压范畴碳化硅涂层在低压范畴：主要是针对一些消费电子，比如说PFC、电源；举比如：小米和华为推出来快速充电器，所选用的器材就是氮化镓器材。在中压范畴：主要是轿车电子和3300V以上的轨道交通和电网体系。举比如：特斯拉是运用碳化硅器材早的一个轿车制造商，运用的型号是model3。在中低压范畴，碳化硅和氮化镓为竞争联系，碳化硅涂层更倾向于氮化镓。在中低压碳化硅已经有非常成熟的二极管和MOSFET产品在市场傍边推广应用。在高压范畴：碳化硅有着绝无仅有的优势。但迄今为止，在高压范畴现在还没有一个成熟的产品的推出，全球都在处于研制的阶段。电动车是碳化硅的佳应用场景丰田的电驱动模块（电动车的核心部件），碳化硅涂层碳化硅的器材比硅基IGBT 的体积缩小了50%甚至更多，同时能量密度也比硅基IGBT 高很多。这也是很多厂商倾向于运用碳化硅的原因，可以优化零部件在车上的布置，节约更多的空间碳化硅涂层。特斯拉Model 3 电驱动模块：选用24 颗意法半导体碳化硅器材，丰田也方案2020年推出搭载碳化硅器材的电动车，丰田作为日系厂商较为倾向于日系的供应商，目前是三菱或富士在争取这些业务和丰田开展协作碳化硅涂层。碳化硅涂层

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碳化硅涂层石墨盘就是采用物理或化学气相沉积、喷涂等方法，在石墨表面制备碳化硅保护层。制备的碳化硅保护层，可牢牢的巴结在石墨基体上，使石墨基座表面致密、无空隙，赋予石墨基体特殊的性能，包括抗氧化、耐酸碱、耐冲刷、耐腐蚀等。碳化硅涂层石墨盘是目前单晶硅外延生长用和氮化镓（GaN）外延生长用好的基座之一，是外延炉的核心部件。当前，中国国内碳化硅涂层石墨盘生产商数量较少，已实现量产并有应用业绩的主要有深圳市志橙半导体材料有限公司、湖南德智新材料有限公司、上海天楷石墨有限公司等，但产能产量较低，产品质量也与欧美先进国家的领先企业有一定差距，因此在供给能力及碳化硅涂层石墨盘质量等方面均无法满足下游应用领域需求。总体来看，国内碳化硅涂层石墨盘行业集中度较高，Sgl Carbon、Toyo Tanso、Bay Carbon等国外厂商占据大部分市场份额，而本土企业碳化硅涂层石墨盘生产能力有限，所占市场份额较小

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公司主营业务开展道路清晰。公司成功施行贸工技道路, 着力加大研制投入,产能从4寸线开展到6寸线,未来规划8寸线,逐渐提高高端产能占比,抢占外商份额。公司业绩每年稳定增长20-30%,净利率保持在18%,大幅领先同业SiC涂层。“国内”+“海外”双轮驱动。公司施行“YJ”与“MCC”双品牌运作,2015年海外商场销售额占比15%,未来海外销售占比能达到50%。重视研制与海外商场拓展轨道与华为共同。SiC 项目布局第三代半导体。获益于下游充电桩和电动汽车数量的交替增长,SIC 商场在起飞前夜。公司现在做SiC 器材, 已给下游充电桩企业送样,SiC 晶圆线正在建设中,构成产业一体化优势。持续进行分立器材产业链整合。公司对本身的定位是分立器材的整合渠道。(1)收买国宇电子14.95%的股权,布局第三代半导体。(2)收买美国MCC、台湾美微科、深圳美微科,进军海外商场。 定增助推公司开展动能。公司拟定增10亿,用于SiC 芯片器材研制、节能型功率器材芯片建设、智慧型电源芯片封装测验, 优化公司产品结构,扩大商场竞争力SiC涂层。我们以为,公司技能实力强,管理层和产品团队质地优异,在国家半导体扶持方针侧重先进产能和新式应用领域的布景下, 看好公司长期开展空间。估计公司2016-2018年归母净利润1.83亿、2.76亿、3.64亿;EPS 为0.43元、0.65元、0.86元,对应6月14日收盘价(20.58元/股)PE 分别为47倍、31倍、24倍。鉴于公司未来三年的复合增速估计将超越30%, 给予“强烈推荐”评级SiC涂层。SiC涂层

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中心内容总结榜首部分 职业介绍第三代半导体，又称作宽禁带半导体，聚焦在两个资料体系：碳化硅和氮化镓等宽禁带资料，具有大漂移速率和大热导率（与硅比较），未来会抢占一部分原有的硅的商场，也会有一些潜在的增量商场：能够做成适用于高功率、高电压、高电流、高频、高温等环境的器材，器材会更小，重量更轻，转换功率更高。价格方面，碳化硅器材现在价格很贵，是硅器材价格的2-8倍，这也是制约碳化硅快速成长的 大问题。价格会跟着规模放量、技能提高逐步改进，之前三年内价格根本上以10%的速度下降。工业链方面，整个工业链环节：衬底、外延、器材、模块、封装到后的应用。中心卡脖子环节是半导体工业资料和设备。工业链技能瓶颈 高的是长晶环节。设备方面，要求没有集成电路要求那么高，可是宽禁带半导体是高温资料，制作时在长晶和器材方面有许多高端工艺，远远高于硅的工艺。总体来看，设备要求也是挺高的，国产化率程度比IC高一些，但 多是20%，大部分是进口。长晶环节（衬底）用到的设备是长晶炉以及后面切开、研磨、抛光、清洗用到的设备。长晶用到的设备根本上完成国产化。长晶没有构成商业性的企业，专门卖炉子，根本上都是自己研制设备、做工艺。由于长晶环节主要用的PVT（物理气相传输）的技能路线，温度很高，炉子结构不是很复杂，可是不行实施监控，难点不在设备本身，而是在工艺本身。根本上每一家工艺不一样，炉子的技能途径根本是两类，一类是线置式，一类是线圈外置式。根本上大部分用的是线圈外置式，只有天科合达用的是线置式。线置式的好处是能耗低，可是真空度和结晶度保障难一点，做半绝缘相对困难，所以天科合达在半绝缘层面滞后一些，碳化硅涂层导电型的水平更高一些。切开：碳化硅的切开实际上和硅的切开是一样的，但由于碳化硅归于硬质资料，所以用到的机台和硅的机台不一样，和蓝宝石（硬质资料）的机台相似，归于摇晃的多线切开机。碳化硅是除了金刚石以外世界上第二硬的资料，切开十分困难，切一刀得好几百个小时，所以对体系设备的稳定性很高碳化硅涂层，要国内的设备很难满意这个要求，碳化硅是高附加值产品，现在还十分贵，一片6寸要7000-8000元，且一次是几十片上百片，几十万的价值量。所以国内设备不敢用，80%-90%都是日本高鸟的设备。研磨、抛光、SMT：机台根本相似，只不过是研磨盘和研磨液的不同。机台国内也有，北京的特思迪，苏州有家赫瑞特等。国产化做的还能够，但仍是买进口的多一些。国产化率大概是30%-40%，60%是进口。有些企业两条线都有，比如天科合达自己有一条线，还有一条线是日本的是speedfund清洗：需求放在一个洁净度 高的空间清洗，对摆机间的清洗机台要求很高。所以现在根本是以进口为主，国内能做，可是洁净度很难保证。碳化硅涂层外延：清一色的进口设备。国内主要用的是4大厂家的设备碳化硅碳化硅涂层涂层：Aixtron、意大利的LPE、日本的两家nuflare和东电。国内占的多的是Aixtron、意大利的LPE，日本的两家份额还比较少，正在逐步打开国内的商场，由于他有成本的优势。国内也有一些人在做，中电科的58所。器材：设备许多，和集成电路的设备大同小异，除了光刻环节要求没那么高，多几百纳米。可是国内在这个领域更多的是买被筛选的尼康的二手，价格也比较廉价，功能也不错。刻蚀、堆积、PECVD、氧化等设备北方华创也能满意碳化硅涂层，可是如果国产价格没有优势，也会买进口的。碳化硅的工艺流程和硅的功率器材相似，所以国内许多的6寸线和4寸线根本都是用本来筛选下来的硅的6寸线，需求添加一些碳化硅独有的工艺，如高温工艺：高温氧化、高温离子注入、高温退火（离子注入前有碳膜堆积）。这些设备国内都有开发，但根本上都是用进口的。总体国产化率相对比集成电路高一些，20%-30%（集成电路多10%）。产能：碳化硅和氮化镓商场快速增长，现在大约几十亿美元，10年之内能提高到200亿美元，主要增量来自于新能源汽车。碳化硅涂层